دوره 17، شماره 1 - ( 1-1396 )                   جلد 17 شماره 1 صفحات 144-136 | برگشت به فهرست نسخه ها

‎ 20.1001.1.10275940.1396.17.1.48.8

XML English Abstract Print

Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Sayyaadi H, Rostami Najafabadi H, Askari Farsangi M A. An investigation on effectiveness of dimension on Magnetic Shape Memory Alloy based energy harvester with two different configurations. Modares Mechanical Engineering 2017; 17 (1) :136-144
URL: http://mme.modares.ac.ir/article-15-10346-fa.html
صیادی حسن، رستمی نجف آبادی حسین، عسکری فرسنگی محمد امین. بررسی اثر ابعاد بر برداشت کننده‌ی انرژی با آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی در دو پیکربندی مختلف. مهندسی مکانیک مدرس. 1396; 17 (1) :136-144

URL: http://mme.modares.ac.ir/article-15-10346-fa.html

بررسی اثر ابعاد بر برداشت کننده‌ی انرژی با آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی در دو پیکربندی مختلف
حسن صیادی* 1، حسین رستمی نجف آبادی2 ، محمد امین عسکری فرسنگی2
1- دانشگاه شریف
2- دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه صنعتی شریف
چکیده:   (4246 مشاهده)
در این مقاله، مدل ساختاری پایه ترمودینامیکی برای مدلسازی رفتار آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی طی اعمال کرنش در یک سیستم برداشت‌کننده انرژی بکار برده شده است. در این سیستم با اعمال کرنش به آلیاژ، مغناطش داخلی آن تغییر کرده و در نتیجه شار اطراف آن تغییر می‌کند. با قرار دادن یک سیم‌پیچ می‌توان این تغییر شار را به ولتاژ تبدیل نمود. برای بررسی اثر تغییر ابعاد در انرژی استحصالی، فاکتور مغناطیس‌زدائی برای ابعاد مختلف از رابطه تحلیلی مواد فرومغناطیسی مکعب مستطیل محاسبه و نتایج با داده‌های مرجع راستی آزمایی شده‌اند. با استفاده از این رابطه اثر تغییر ابعاد در مقادیر فاکتور مغناطیس‌زدائی بررسی شده‌اند. با افزایش ضخامت آلیاژ، فاکتور مغناطیس‌زدائی در راستای طولی بیشتر و در راستای عرضی کمتر می‌شود در حالیکه این فاکتور برای هردو راستا با افزایش عرض قطعه افزایش می‌یابد. مدل ساختاری آلیاژ برای پیکربندی که سیم‌پیچ برداشت‌کننده دور آلیاژ پیچیده می‌شود و برای پیکربندی که از هسته فرومغناطیسی برای هدایت شار استفاده می‌شود، بکار برده شده است. شبیه‌سازی در ضخامت‌های مختلف آلیاژ نشان می‌دهد افزایش ضخامت در پیکربندی که سیم‌پیچ دور آلیاژ قرار دارد باعث افزایش ولتاژ بصورت خطی می‌شود در صورتیکه برای پیکربندی -هسته‌دار افزایش ضخامت در ضخامت‌های کم باعث افزایش ولتاژ و در ضخامت‌های زیاد افزایش کمتر ولتاژ رادر پی دارد. با افزایش عرض آلیاژ، هردو پیکربندی افزایش ولتاژ خطی دارند اگرچه در سیستم هسته‌دار شیب خط افزایش ولتاژ بیشتر است. افزایش طول هم بدون اینکه در ولتاژ خروجی پیکربندی با سیم‌پیچ دور آلیاژ تغییری ایجاد کند باعث افزایش ولتاژ خروجی سیستم هسته‌دار می‌شود.
واژه‌های کلیدی: آلیاژ حافظه دار مغناطیسی، برداشت انرژی، فاکتور مغناطیس زدائی، مدار مغناطیسی
متن کامل [PDF 1133 kb]   (5555 دریافت)    
نوع مقاله: مقاله پژوهشی کامل | موضوع مقاله: ارتعاشات
دریافت: 1395/6/2 | پذیرش: 1395/10/3 | انتشار: 1395/10/19
ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA
بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.