دوره 17، شماره 4 - ( 4-1396 )                   جلد 17 شماره 4 صفحات 276-267 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


1- استادیار دانشگاه صنعتی شریف
2- دانشجوی دانشگاه شریف
چکیده:   (3862 مشاهده)
با توجه به پیشرفت سریع نانوتکنولوژی، کاربرد مواد در ابعاد نانو نیز به شدت افزایش پیدا کرده است. به دلیل افزایش اثرات سطح در اندازه‌های کوچک تئوری‌های کلاسیک توانایی مدل‌سازی سیستم‌های ابعاد نانو را ندارند. از طرف دیگر، روش‌های دقیق در اندازه‌های کوچک که بر مبنای کوانتوم و مدل‌سازی اتمی هستند، بسیار زمان‌بر بوده و در نتیجه استفاده از آن‌ها به اندازه‌های خیلی کوچک و بازه زمانی شبیه‌سازی کوتاه محدود می‌شود. در این تحقیق روش‌های درشت‌دانه برای شتاب دادن به شبیه‌سازی‌های دینامیک مولکولی برای بررسی ساختارهای سیلیکونی ارائه گردیده است. در این روش، پس از اعمال کردن نگاشت مناسب بین دانه‌های مدل درشت‌دانه و اتم‌های ساختار اصلی، پارامترهای سیستم به گونه‌ای تغییر می‌یابد که خواص فیزیکی مدل درشت‌دانه و تمام اتم یکسان باشد. با استفاده از شبیه‌سازی‌های استاتیکی و دینامیکی مختلف و بررسی اثر اندازه، سرعت و دقت مدل‌ها بررسی می‌گردد. خطای مدل درشت‌دانه ارائه برای محاسبه مدول یانگ، ارتعاشات طولی و عرضی کمتر از 5 درصد است، در حالی که این روش در حدود 8 برابر سریع‌تر است.
متن کامل [PDF 1303 kb]   (5427 دریافت)    
نوع مقاله: مقاله پژوهشی کامل | موضوع مقاله: سیستمهای میکرو و نانو
دریافت: 1395/10/1 | پذیرش: 1395/12/21 | انتشار: 1396/2/3

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.