1- گروه مهندسی مکانیک، واحد سمنان، دانشگاه آزاد اسلامی، سمنان، ایران
چکیده: (7732 مشاهده)
آگاهی از ضریب هدایت حرارتی نانوسیالها با توجه به توسعه چشمگیر استفاده از آنها در پژوهشها ضروری می باشد که با توجه به ناتوانی مدلهای ارائه شده در اکثر موارد لازم است بصورت تجربی ضریب هدایت حرارتی اندازهگیری شود. در این مقاله طراحی و بررسی عملکرد دستگاه اندازهگیری ضریب هدایت حرارتی سیالات و نانوسیالات بدون استفاده از پل وتستون بررسیشده است. سابقاً از روش پل وتستون برای ساخت سیم داغ کوتاه گذرا استفاده میشد که نیاز به سیستم الکترونیکی پیچیده و مصرف توان الکتریکی بالایی دارد. در این مقاله روش جدیدی ارائه شده است بهطوریکه نه جریان ثابت نگهداشته شده است و نه ولتاژ، بلکه از روش اندازهگیری مقاومت نسبی و از پراب مسی با روکش لاکی با قطر 40 میکرون استفادهشده است که بهراحتی در دسترس است. بیشترین اختلاف نتایج این طراحی با مراجع، % 17/1 بهدستآمده است. در این راستا تغییرات ضریب هدایت حرارتی سیال مغناطیسی بهصورت تجربی بررسیشده است. سیالهای مغناطیسی دسته جدیدی از نانوسیالها هستند که تحت تاثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند و خواص انها دچار تغییر می شود. آزمایشها برای سیال مغناطیسی Fe3O4 بر پایه آب با درصدهای حجمی مختلف مختلف انجامشده است.
نوع مقاله:
یادداشت پژوهشی |
موضوع مقاله:
انتقال حرارت و جرم دریافت: 1393/11/14 | پذیرش: 1393/12/15 | انتشار: 1394/1/23