دوره 15، شماره 5 - ( 5-1394 )                   جلد 15 شماره 5 صفحات 422-419 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


1- گروه مهندسی مکانیک، واحد سمنان، دانشگاه آزاد اسلامی، سمنان، ایران
چکیده:   (7732 مشاهده)
آگاهی از ضریب هدایت حرارتی نانوسیال‌ها با توجه به توسعه چشمگیر استفاده از آنها در پژوهش‌ها ضروری می باشد که با توجه به ناتوانی مدل‌های ارائه شده در اکثر موارد لازم است بصورت تجربی ضریب هدایت حرارتی اندازه‌گیری شود. در این مقاله طراحی و بررسی عملکرد دستگاه اندازه‌گیری ضریب هدایت حرارتی سیالات و نانوسیالات بدون استفاده از پل وتستون بررسی‌شده است. سابقاً از روش پل وتستون برای ساخت سیم داغ کوتاه گذرا استفاده می‌شد که نیاز به سیستم الکترونیکی پیچیده و مصرف توان الکتریکی بالایی دارد. در این مقاله روش جدیدی ارائه شده است به‌طوری‌که نه جریان ثابت نگه‌داشته شده است و نه ولتاژ، بلکه از روش اندازه‌گیری مقاومت نسبی و از پراب مسی با روکش لاکی با قطر 40 میکرون استفاده‌شده است که به‌راحتی در دسترس است. بیشترین اختلاف نتایج این طراحی با مراجع، % 17/1 به‌دست‌آمده است. در این راستا تغییرات ضریب هدایت حرارتی سیال مغناطیسی به‌صورت تجربی بررسی‌شده است. سیالهای مغناطیسی دسته جدیدی از نانوسیالها هستند که تحت تاثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند و خواص انها دچار تغییر می شود. آزمایش‌ها برای سیال‌ مغناطیسی Fe3O4 بر پایه آب با درصدهای حجمی مختلف مختلف انجام‌شده است.
متن کامل [PDF 297 kb]   (6160 دریافت)    
نوع مقاله: یادداشت پژوهشی | موضوع مقاله: انتقال حرارت و جرم
دریافت: 1393/11/14 | پذیرش: 1393/12/15 | انتشار: 1394/1/23

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.