---

در این مقاله، مدل ساختاری پایه ترمودینامیکی برای مدلسازی رفتار آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی طی اعمال کرنش در یک سیستم برداشت‌کننده انرژی بکار برده شده است. در این سیستم با اعمال کرنش به آلیاژ، مغناطش داخلی آن تغییر کرده و در نتیجه شار اطراف آن تغییر می‌کند. با قرار دادن یک سیم‌پیچ می‌توان این تغییر شار را به ولتاژ تبدیل نمود. برای بررسی اثر تغییر ابعاد در انرژی استحصالی، فاکتور مغناطیس‌زدائی برای ابعاد مختلف از رابطه تحلیلی مواد فرومغناطیسی مکعب مستطیل محاسبه و نتایج با داده‌های مرجع راستی آزمایی شده‌اند. با استفاده از این رابطه اثر تغییر ابعاد در مقادیر فاکتور مغناطیس‌زدائی بررسی شده‌اند. با افزایش ضخامت آلیاژ، فاکتور مغناطیس‌زدائی در راستای طولی بیشتر و در راستای عرضی کمتر می‌شود در حالیکه این فاکتور برای هردو راستا با افزایش عرض قطعه افزایش می‌یابد. مدل ساختاری آلیاژ برای پیکربندی که سیم‌پیچ برداشت‌کننده دور آلیاژ پیچیده می‌شود و برای پیکربندی که از هسته فرومغناطیسی برای هدایت شار استفاده می‌شود، بکار برده شده است. شبیه‌سازی در ضخامت‌های مختلف آلیاژ نشان می‌دهد افزایش ضخامت در پیکربندی که سیم‌پیچ دور آلیاژ قرار دارد باعث افزایش ولتاژ بصورت خطی می‌شود در صورتیکه برای پیکربندی -هسته‌دار افزایش ضخامت در ضخامت‌های کم باعث افزایش ولتاژ و در ضخامت‌های زیاد افزایش کمتر ولتاژ رادر پی دارد. با افزایش عرض آلیاژ، هردو پیکربندی افزایش ولتاژ خطی دارند اگرچه در سیستم هسته‌دار شیب خط افزایش ولتاژ بیشتر است. افزایش طول هم بدون اینکه در ولتاژ خروجی پیکربندی با سیم‌پیچ دور آلیاژ تغییری ایجاد کند باعث افزایش ولتاژ خروجی سیستم هسته‌دار می‌شود.