---

در این مقاله انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال در یک محفظه T شکل مورب پر شده از نانوسیال آب و مس تحت تاثیر میدان مغناطیسی ثابت به روش عددی بررسی شده است. دیوار بالائی محفظه در دمای سرد و سایر دیواره‌ها عایق می‌باشند. یک منبع حرارتی با دمای ثابت در کف محفظه تعبیه شده است. معادلات حاکم به روش حجم کنترل جبری شده و توسط الگوریتم سیمپل به طور همزمان حل می‌گردد. عدد هارتمن از ۰ تا ۸۰ تغییر داده شده و محفظه تحت زوایای ۰ تا ۹۰ درجه چرخیده است. نتایج نشان می‌دهند، اثر میدان مغناطیسی بر نوسلت متوسط در ریلی‌های بالا بیشتر است. در Ra=۱۰۵، افزایش نانوسیال، تا عدد هارتمن ۲۰، سبب کاهش نوسلت متوسط می‌شود و در هارتمن ۴۰ به بالا، سبب افزایش نوسلت متوسط می‌شود. در Ra=۱۰۶، افزایش نانوسیال، تا عدد هارتمن ۲۰، سبب افزایش نوسلت متوسط می‌شود و در هارتمن ۴۰ به بالا، سبب کاهش نوسلت متوسط می‌شود. همچنین نتایج نشان می‌دهد، بیشترین انتقال حرارت در اعداد ریلی ۱۰۵ و ۱۰۶، در زاویه ۵/۶۷ درجه رخ می‌دهد و کمترین انتقال حرارت در اعداد ریلی ۱۰۵ و ۱۰۶، به ترتیب در زاویه صفر و ۵/۲۲ درجه رخ می‌دهد.