---

در سال های اخیر تحقیقات زیادی در زمینه حساسیت موجودات زنده نسبت به میدان های مغناطیسی و نانوذرات انجام شده است. به همین منظور، برای ارزیابی تأثیر میدان مغناطیسی و نانوذرات نقره روی رنگیزه های فتوسنتزی (کلروفیلa، کلروفیل bو کاروتنوئید)، پرولین، گلایسین بتائین، قندها و پروتئین های محلول، محتوای نیترات و فعالیت نیترات ردوکتاز و در نهایت الگوی الکتروفورزی پروتئین های اندام هوایی گیاه همیشه بهار آزمایشاتی درسال ۱۳۹۴درگروه زیست شناسی دانشگاه ارومیه انجام شد. دانه رست ها به مدت ۳۰ روز تحت تیمارهای میدان مغناطیسی (با شدت mT۳) و نانوذرات نقره (ppm۵۰) قرار گرفتند. نتایج نشان داد در گیاهان تحت تیمار با میدان مغناطیسی، نانوذره نقره و میدان مغناطیسی+ نانوذره نقره محتوای کلروفیل a، کلروفیل b و کاروتنوئید، محتوای محلول های سلولی سازگار نظیر پروتئین و قند محلول، پرولین و گلایسین بتائین و همچنین محتوای نیترات و فعالیت آنزیم نیترات ردوکتاز نسبت به گروه شاهد افزایش معنی-داری(۰۵/۰P<) نشان داد. در الگوی الکتروفورزی پروتئین نیز بیشترین باندهای قابل مشاهده روی ژل الکتروفورز مربوط به گروه تحت تیمار با میدان مغناطیسی+ نانوذره نقره بود.

---

---

---

هدف: میدان‌های مغناطیسی از پدیده‌هایی است که امروزه همه جا در محیط پیرامون ما یافت می‌شود. سیم‌های فشار قوی، دستگاه‌های الکتریکی که در خانه‌ها و محیط کار فراوان یافت می‌شوند، وسایل ترابری مانند قطارهای شهری و همچنین دستگاه‌های گوناگون تشخیصی و درمانی همچون MRI زاینده میدان‌های مغناطیسی پیرامون ما هستند. میدان‌های مغناطیسی می‌توانند اثرهای گوناگونی بر جانداران از سطح سلول تا پیکره گیاهان، جانوران و آدمی بگذارند. در بررسی‌های اپیدمیولوژیک اثر این میدان‌ها در بالا رفتن میزان بروز برخی از سرطان‌ها همچون سرطان خون به‌خوبی نشان داده شده است. در آزمایش‌های گوناگون دانشمندان کوشیده‌اند تا به ساز و کار این اثرهای زیستی پی ببرند؛ اما داده‌های به‌دست آمده بسیار ناهماهنگ و گستره انجام این بررسی‌ها چه از دیدگاه فیزیکی (بزرگی میدان، بسامد، زمان میدان‌دهی و ...) و چه از دیدگاه زیستی (گونه یاخته، میزان تمایز و ...) پراکنده است. گرچه این پژوهش‌ها در یاخته‌های کشت شده در بیرون از بدن جاندار به انجام رسیده است، می‌تواند شاهدی بر فرایندهای طبیعی یاخته در بدن نیز باشد. در این تحقیق هدف دستیابی به نتایجی است که بر پایه آن‌ها بتوان به درک بهتری از ساز و کار تأثیر میدان بر جانداران در سطح سلولی دست یافت. مواد و روش‌ها: در این بررسی، اثرهای زیستی میدان مغناطیسی ایستای ۱۵ میلی‌تسلایی روی یاخته‌های بنیادی استرومایی مغز استخوان موش صحرایی سنجیده شد. برای این کار روش فلوسایتومتری با فلوروکروم پروپیدیوم یدید به‌کار گرفته شد که با تشخیص محتوای DNA یاخته‌ها معیاری برای پی بردن به مرحله‌ای که سلول در آن به سر می‌برد را به‌دست می‌دهد. میدان مغناطیسی به‌کار گرفته شده حاصل از عبور جریان ۱۲ آمپری از سیم‌پیچ‌ها با بزرگی ۱۵ میلی‌تسلا اعمال شد. نتایج: با آنالیز چرخه یاخته‌ای دگرگونی‌هایی در مراحل گوناگون چرخه یاخته‌ای دیده شد؛ به‌گونه‌ای که شمار یاخته‌هایی که در مرحله G۰/G۱ بودند افزایش معنی‌داری نشان داد. این افزایش شمار یاخته‌ای به دلیل افزایش در طول مرحله G۰/G۱ چرخه بوده است. همچنین این اثر در یاخته‌هایی که پیش از تیمار مغناطیسی در معرض پراکسید هیدروژن که از دسته مواد شیمیایی اکسنده است، قرار گرفته بودند اثر مشابهی را نشان داد. در مرحله S از چرخه نیز در شمار یاخته‌های دو گروه از تیمار کاهش مشاهده شد. نتیجه‌گیری: این پدیده می‌تواند در اثر آسیب ماده ژنتیکی یاخته یا اختلال در کارکرد پروتئین‌های چرخه یاخته‌ای باشد که که هر دو فرایند می‌تواند آغازی بر ناهنجاری در فرایندهای طبیعی یاخته باشد. از آن‌جا که انرژی این میدان‌ها در حدی نیست که بتواند به‌طور مستقیم بر مولکول‌ها اثر گذار باشد، فرایندهای غیرمستقیم با واسطه‌های رادیکالی محتمل‌ترین مکانیسم به‌شمار می‌آید.

---

اتوجه به شکل گیری و تکامل حیات در کنار میدان های مغناطیسی استاتیک ،مواجهه دائمی توانایی سازش را به موجودات داده است .مغناطیس درمانی از شاخه های طب مکمل  محسوب می شود ،که با استفاده از میدان های مغناطیسی با شدت پایین و غیر مضر به بدن صورت می گیرد. با مطالعه بر روی  زوج های نابارور،۲۰درصد عامل مردانه، تنها علت ناباروری است ودر ۵۰درصد موارد به عنوان یکی از عوامل مداخله کننده محسوب می شود. یکی از عوامل تاثیر گذار مربوط به ناباروری در مردان مربوط به اسپرم است . در تحقیق حاضر ،نمونه های نرمال تحت میدان مغناطیسی در شدت های ۶،۱ و۱۲ میلی تسلا و در بازه های زمانی ۳،۱ و۵ ساعت قرارگرفتند . بررسی های میزان حرکت اسپرم توسط نرم افزارکاسا وهمچنین میزان زندمانی اسپرم ها توسط رنگ آمیزی ائوزین نکروزین ونیز مورفولوژی توسط رنگ آمیزی پاپانیکولا انجام گرفت .نتایج این مرحله بر روی اسپرم های نرمال نشان دهنده ینتایج نشان دهنده تاثیر میدان مغناطیسی برحرکت اسپرم های تحت تاثیر میدان است  و کاهش معناداری در حرکت اسپرم هایی که تحت اثر میدان نبودند مشاهده شد .همچنین بررسی های مورفولوژی نشان دهنده عدم تاثیر میدان مغناطیسی بر مورفولوژی اسپرم است .در آزمایش ها ی زنده مانی ،اسپرم هایی که تحت اثر میدان مغناطیسی نبودند باکاهش معناداری همراه بود ونیز مورفولوژی اسپرم بدون تغییر است.
                              

---

در مقاله حاضر، رفتار یک حباب در سیال لزج دی الکتریک تحت اثر میدان مغناطیسی یکنواخت در جریان دوفازی با استفاده از روش Level Set به صورت دوبعدی مدل سازی شده است. جریان دوفازی حبابی آرام و همگن فرض شده و تغییرشکل حباب بر اثر نیروی غوطه وری و نیز نیروی مغناطیسی ناشی از میدان مغناطیسی خارجی اعمال شده، مورد بررسی قرار گرفته است. برای حل مساله یک کد کامپیوتری نوشته شده که شامل بخش های حل میدان جریان، مرز مشترک دوفاز و میدان مغناطیسی می باشد. در این تحقیق، شبیه سازی عددی میدان جریان دوفازی و حل میدان سرعت از طریق روش حجم محدود و با استفاده از الگوریتم SIMPLEصورت گرفته است. استفاده از این الگوریتم امکان محاسبه پارامتر مهم فشار را میسر می سازد که در تحقیقات قبلی به دلیل پیچیدگی جریان دوفازی حذف شده است. برای حل معادله ی میدان مغناطیسی نیز از روش تفاضل محدود استفاده شده است. تعقیب سطح مشترک بین دو فاز در هر لحظه نیز با استفاده از الگوریتم Level Set صورت می گیرد. نتایج تحقیق حاضر با داده های تجربی و نتایج عددی محققین قبلی توافق خوبی دارد. نتایج نشان می دهد که میدان مغناطیسی می تواند شکل، اندازه، سرعت و محل تشکیل حباب را تحت تاثیر قرار داده و کنترل کند.

---

بررسی عوامل مؤثر بر تکثیر سلول‌های اندوتلیال یک بخش اساسی در مطالعات رگزایی است. نظر به اهمیت مهار رگزایی در درمان سرطان‌ها و به دلیل عوارض جانبی و هزینه ‌سنگین داروهای ضد‌رگزایی مثل اوستین، کاربرد عوامل فیزیکی که در درمان کمک کنند و نیاز به دوزهای بالای دارو را کاهش دهند، شایسته توجه است. میدان‌های مغناطیسی به دلیل اثرگذاری از فاصله دور و غیرتهاجمی بودن، مورد توجه هستند و مطالعات زیادی در مورد اثرات آنها روی پدیده‌های زیستی از جمله رگزایی انجام شده است که نتایج انها ناهمگون بوده است. در مطالعه حاضر اثر میدان مغناطیسی متناوب ۲ میلی‌تسلا با فرکانس ۲۰۰ هرتز به همراه اوستین روی تکثیر سلول‌های اندوتلیال ورید بند ناف انسانی (HUVEC) بررسی شده‌ است. سلول‌ها به مدت ۴۸ ساعت تحت تأثیر مخلوط محلول غلظت ۵۰ میکروگرم در میلی‌لیتر فاکتور رشد اندوتلیال عروقی(VEGEF) و اواستین در غلظت‌های‌( صفر(کنترل دارو)، ۵۰، ۱۰۰، ۲۰۰ و ۴۰۰ میکروگرم در میلی‌لیتر) و همچنین گروه‌های تیمار میدان به مدت زمان‌های ۳، ۶، ۱۲، ۲۴ و ۴۸ ساعت در معرض میدان مغناطیسی قرار‌گرفتند. سپس بررسی تکثیر سلول‌ها با استفاده از تست رنگ‌سنجی آلامار‌بلو انجام شد. داده‌ها با آنالیز واریانس سه‌عاملی تحلیل گردید. بر‌اساس یافته‌ها، زمان‌های مواجهه ۱۲، ۲۴ و ۴۸ ساعت، کاهش معنی‌داری در تکثیر سلول‌ها در مقایسه با گروه کنترل ایجاد کردند اما در تیمارهای ۳ و ۶ ساعت این تفاوت معنی‌دار نبود. همچنین میزان اثرات تداخلی عوامل مذکور با یکدیگر بر تکثیر HUVEC، مورد بررسی قرار‌گرفت.

---

ماده ابردگررسان مغناطیسی ترفنل-دی در ساخت بسیاری از حسگرها از قبیل نیروسنج کاربرد دارد. در این حسگرها نیروی خارجی به واسطه تغییر در شار مغناطیسی گذرنده از ترفنل-دی اندازه گیری می شود. به منظور بهبود عملکرد این حسگرها، ترفنل-دی تحت تاثیر میدان مغناطیسی بایاس و پیش تنش مکانیکی قرار می گیرد. در این مقاله، اثر این دو عامل بر حساسیت و محدوده اندازه گیری خطی حسگر مورد بررسی قرار می گیرد و مقادیر بهینه آنها شناسایی می شوند. در ابتدا با استفاده از معادلات ترکیبی کوپل مگنتومکانیکی، مدل تئوری که شامل پارامترهای موثر بر حساسیت حسگر می باشد، ارائه می شود. سپس با استفاده از یک مجموعه آزمایشگاهی، خواص مغناطیسی-مکانیکی ترفنل-دی و مقادیر پارامترهای مورد نیاز مدل تئوری استخراج می گردد. در انتها با استفاده از مدل تئوری و نتایج تجربی، پاسخ حسگر در مقابل نیروهای دینامیکی شبیه سازی شده و تاثیرات میدان مغناطیسی بایاس و پیش تنش مکانیکی بر فاکتور حساسیت و محدوده اندازه گیری خطی حسگر مطالعه می شوند. نتایج به دست آمده نشان می دهد که مقادیر میدان مغناطیسی بایاس و پیش تنش مکانیکی باید در ارتباط با همدیگر و با توجه به دامنه نیروی اعمالی تعیین شوند تا حسگر ترفنل-دی بیشترین حساسیت را داشته باشد.

---

چکیده-در این مقاله انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال در یک محفظه مثلثی شکل به روش عددی بررسی شده است. نانوسیال استفاده شده آب و مس بوده و محفظه تحت تاثیر میدان مغناطیسی ثابت می باشد. دیوار مورب محفظه در دمای سرد و سایر دیواره ها عایق می باشند. یک منبع حرارتی با دمای ثابت در کف محفظه تعبیه شده است. معادلات حاکم به روش حجم کنترل جبری شده و توسط الگوریتم سیمپل به طور همزمان حل می گردد. اثر اعداد ریلی، هارتمن، درصد حجمی نانوذرات، طول و موقعیت منبع حرارتی بر میدان جریان و دما و نرخ انتقال حرارت بررسی شده است. نتایج نشان می دهند که افزایش عدد هارتمن باعث کاهش سرعت جریان داخل محفظه شده و انتقال حرارت را کاهش می دهد و افزایش درصد حجمی نانوذرات عموما باعث افزایش انتقال حرارت می شود ولی تغییرات آن در اعداد ریلی و هارتمن متفاوت یکسان نمی باشد. علاوه بر اینکه موقعیت منبع حرارتی در کف محفظه بر نرخ انتقال حرارت از محفظه تاثیر بسزایی دارد.

---

چکیده- جریان جا¬بجایی توام نانوسیال آب- مس در کانالی تحت تاثیر میدان مغناطیسی به روش عددی بررسی شده است. خطوط جریان، دما و میزان انتقال حرارت در قالب عدد نوسلت از طریق حل عددی معادلات نویر استوکس و معادله انرژی مدل شده است. در این مطالعه به بررسی پارامترهایی چون عدد ریچاردسون، عدد هارتمن، کسر حجمی جامد و زاویه کانال بر روی میدان جریان و میزان انتقال حرارت پرداخته شده است. نتایج بیانگر آن است که افزایش عدد هارتمن در اعداد ریچاردسون بالا منجر به کاهش انتقال حرارت می شود. با افزایش عدد ریچاردسون، افزایش کسر حجمی جامد و افزایش زاویه کانال نسبت به افق انتقال حرارت افزایش می یابد. همچنین ماکزیمم برگشت جریان در کانال عمودی روی می دهد.

---

در این مقاله انتقال حرارت جابجایی در یک کانال سینوسی شکل حاوی نانوسیال تحت میدان مغناطیسی بررسی شده است. میدان مغناطیسی عمود بر کانال اعمال شده است. آب به عنوان سیال پایه در نظر گرفته شده است و نانو ذره مس به آن افزوده می شود. از مدل ماکسول-گرانت برای ضریب رسانش حرارتی و مدل برینکمن برای ویسکوزیته دینامیکی استفاده می شود. تغییر پارامترهایی نظیر اثر شکل هندسی ، درصد حجمی نانوسیال ،عدد بی بعد هارتمن و عدد بی بعد رینولدز در نظر گرفته شده است. نتایج نشان می دهند با افزایش تمام پارامترهای ذکر شده، عدد ناسلت افزایش می یابد. درصد حجمی نانوسیال، بیشتر بر مقادیر ماکزیمم ناسلت محلی در هر طول موج کانال و مقادیر هارتمن، هم بر مینیمم و هم بر ماکزیمم مقدار ناسلت محلی ،تاثیر گذار هستند.

---

در این تحقیق، دو راهکار جهت افزایش میزان انتقال حرارت درون حفره¬¬ای که دیواره بالایی آن دارای حرکت است و تحت تاثیر میدان مغناطیسی افقی قرار دارد بررسی شده است. به منظور بهبود مقدار انتقال حرارت، اضافه کردن نانو ذرات اکسید آلومینیوم به عنوان راهکار اولیه و تغییر در زاویه شیب میدان مغناطیسی به عنوان راهکار دوم در نظر گرفته شده است. در این مطالعه، دیواره سمت چپ و راست حفره در اختلاف دمای مشخصی قرار دارند و سایر دیواره¬ها عایق در نظر گرفته شده اند. نتایج حل عددی بر اساس یک برنامه کامپیوتری که بر اساس روش حجم محدود نوشته شده است بدست می¬آیند. به منظور اعتبار سنجی برنامه تهیه شده، نتایج حاصله از برنامه مذبور با نتیجه همبستگی موجود برای حفره و همچنین نتایج حاصل از کارهای گذشته مقایسه شده است و دیده می شود که تطابق مناسبی برقرار است. در این مطالعه، محدوده عدد ریچاردسون بین ۰۵/۰ و ۵۰ می باشد. نتایج نشان می¬دهد اضافه کردن نانو ذرات می تواند باعث افزایش و یا کاهش در میزان انتقال حرارت گردد در حالی که افزایش در زاویه شیب میدان مغناطیسی در اغلب موارد افزایش قابل قبولی در مقدار انتقال حرارت را به همراه دارد.

---

در این مقاله جابجایی طبیعی نانوسیال آب-آلومینا در یک محفظه مربعی، که در معرض یک میدان مغناطیسی قرار دارد به صورت عددی بررسی شده است. دیوارهای عمودی محفظه در دماهای ثابتT_c و T_h و دیوار های افقی عایق هستند .در وسط محفظه، صفحه ای عمودی، با ضخامت ناچیز و ارتفاع متغیر قرار دارد. معادلات حاکم به روش تفاضل محدود مبتنی بر حجم کنترل جبری شده و به کمک الگوریتم سیمپل به صورت همزمان حل شده‌اند. بر اساس نتایج حاصل از حل عددی، تاثیر پارامترهایی مانند ارتفاع بی بعد صفحه میانی، عدد ریلی، نسبت حجمی نانوذرات و عدد هارتمن بر روی میدان جریان و انتقال حرارت بررسی شده است. نتایج نشان می‌دهند که که افزایش ارتفاع صفحه میانی و همچنین افزایش عدد هارتمن موجب کاهش انتقال حرارت می شوند، در حالیکه افزایش عدد ریلی موجب افزایش انتقال حرارت می شود. افزایش نسبت حجمی نانوذرات بسته به اینکه عدد ریلی چقدر باشد ممکن است عملکرد حرارتی را تقویت یا تضعیف نماید.

---

در این مقاله اثر تغییرات همزمان طول¬های دو میدان‌ الکترومغناطیس با لحاظ نواحی نفوذ جانبی بر توزیع دما و سرعت جریان در یک ریزپمپ ام اچ دی به¬طور عددی شبیه¬سازی شده است. هندسه جریان یک مجرای دو بعدی بین دو صفجه موازی است و جریان مورد نظر تراکم ناپذیر، پایدار و آرام فرض شده است. بعلاوه دو خاصیت ترموفیزیکی سیال یعنی لزجت دینامیکی و هدایت الکتریکی تابع دما در نظر گرفته شده است. معادلات حاکم بر دو میدان جریان سیال و الکترومغناطیس به روش عددی حجم محدود حل شده و یک حل تحلیلی جامع شامل توزیع سرعت، فشار و دما برای یک حالت خاص ارائه گردیده است. نتایج عددی نشان می‌دهد که با تغییر طول میدان‌های الکترومغناطیس و لحاظ تابعیت دمایی خواص سیال (آب)، برای جریان در یک مجرا به مقطع مستطیلی ۱۰۰۰ میلیمتر مربع، شدت شار مغناطیسی ۰۲۵/۰ تسلا و قدرت میدان الکتریکی ۲۰ ولت بر میلیمتر، دبی عبوری به ۲۵۰ میلی¬لیتر بر ثانیه و دمای میانگین کاسه¬ای از ۲۵ درجه سانتی¬گراد ورودی به ۴۰ درجه سانتی¬گراد در خروج از مجرا می¬رسد. این در حالی است که با ثابت بودن خواص، حداکثر دبی و دمای میانگین به¬ترتیب۷۰ میلی¬لیتر بر ثانیه و ۶۰ درجه سانتی¬گراد می¬باشد.

---

در این تحقیق اثر میدان مغناطیسی بر میدان جریان، انتقال حرارت و تولید انتروپی جابه‌جایی توام نانوسیال آب–مس با لحاظ اثر حرکت براونی نانوذرات در محفظه‌ی ذوزنقه‌ای مطالعه شده است. دیواره‌های جانبی محفظه عایق، دیواره‌ی بالایی سرد و متحرک به سمت راست یا چپ و دیواره‌ی پایینی گرم است و زوایه‌ی دیواره‌های جانبی با افق ˚۴۵ است. مطالعه در گراشف ۱۰۴، برای اعداد رینولدز ۳۰، ۱۰۰، ۳۰۰ و ۱۰۰۰، اعداد هارتمن ۲۵، ۵۰، ۷۵ و۱۰۰ و کسر حجمی‌های ۰تا ۰۴/۰ از نانوذرات انجام شده است. معادلات حاکم با روش حجم محدود و الگوریتم سیمپلر به‌صورت عددی با استفاده از یک برنامه کامپیوتری حل شده‌اند. نتایج نشان دادند که با اعمال میدان مغناطیسی و افزایش آن، سرعت جابه‌جایی نانوسیال و قدرت جریان کاهش می‌یابد و رفتار از جابه‌جایی توام به آزاد و یا هدایت حرارتی تغییر می‌کند. به‌همین دلیل در همه‌ی اعداد رینولدز و کسر حجمی‌ها با افزایش عدد هارتمن، عدد ناسلت متوسط کاهش می‌یابد. در تمام حالت‌های بررسی شده، انتروپی تولیدی ناشی از اصطکاک بسیار ناچیز می‌باشد و عمده انتروپی تولیدی ناشی از انتقال حرارت برگشت ناپذیر است و همچنین تغییرات انتروپی تولیدی کل با عدد هارتمن مشابه تغییرات عدد ناسلت متوسط می‌باشد. تغییر در جهت حرکت درپوش در رینولدز ۳۰ باعث تغییر ناسلت متوسط و انتروپی تولیدی کل می‌شود ولی در رینولدز ۱۰۰۰ تاثیر آن ناچیز است.

---

در این مقاله انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال در یک محفظه T شکل مورب پر شده از نانوسیال آب و مس تحت تاثیر میدان مغناطیسی ثابت به روش عددی بررسی شده است. دیوار بالائی محفظه در دمای سرد و سایر دیواره‌ها عایق می‌باشند. یک منبع حرارتی با دمای ثابت در کف محفظه تعبیه شده است. معادلات حاکم به روش حجم کنترل جبری شده و توسط الگوریتم سیمپل به طور همزمان حل می‌گردد. عدد هارتمن از ۰ تا ۸۰ تغییر داده شده و محفظه تحت زوایای ۰ تا ۹۰ درجه چرخیده است. نتایج نشان می‌دهند، اثر میدان مغناطیسی بر نوسلت متوسط در ریلی‌های بالا بیشتر است. در Ra=۱۰۵، افزایش نانوسیال، تا عدد هارتمن ۲۰، سبب کاهش نوسلت متوسط می‌شود و در هارتمن ۴۰ به بالا، سبب افزایش نوسلت متوسط می‌شود. در Ra=۱۰۶، افزایش نانوسیال، تا عدد هارتمن ۲۰، سبب افزایش نوسلت متوسط می‌شود و در هارتمن ۴۰ به بالا، سبب کاهش نوسلت متوسط می‌شود. همچنین نتایج نشان می‌دهد، بیشترین انتقال حرارت در اعداد ریلی ۱۰۵ و ۱۰۶، در زاویه ۵/۶۷ درجه رخ می‌دهد و کمترین انتقال حرارت در اعداد ریلی ۱۰۵ و ۱۰۶، به ترتیب در زاویه صفر و ۵/۲۲ درجه رخ می‌دهد.

---

در این مقاله، رفتار حرارتی و هیدرودینامیکی نانوسیال مغناطیسی (آب و ۴% اکسید آهن) در یک مبدل حرارتی دولوله‌ای مستقیم افقی، تحت میدان مغناطیسی غیریکنواخت متقاطع با شدت‌های متفاوت به صورت عددی بررسی شده است. فروسیال به عنوان سیال گرم درون لوله داخلی و هوا به عنوان سیال سرد در لوله بیرونی درنظر گرفته شده و هر دو سیال در رژیم جریان آرام با جریانی غیر همسو می‌باشند. میدان مغناطیسی ذکر شده توسط سیم حامل جریان الکتریسیته ایجاد می‌شود که به موازات طولی مبدل و در فاصله‌ای مشخص و نزدیک به لوله داخلی (بین دولوله) قرار می‌گیرد. از مدل تکفازی و روش حجم محدود برای حل این مسئله استفاده شده است. اثرات میدان مغناطیسی با نوشتن کدهایی به زبان C++، به معادلات حاکم بر جریان فروسیال در نرم‌افزار انسیس فلوئنت ۱۴ اضافه شده است. اعمال میدان مغناطیسی غیریکنواخت متقاطع باعث ایجاد نیروی کلوین در جهت عمود بر جریان فروسیال می‌شود که پروفیل سرعت محوری را تغییر داده و در نهایت با ایجاد یک جفت گردابه، منجر به افزایش عدد ناسلت، ضریب اصطکاک پوسته‌ای و افت فشار فروسیال می‌شود. با مقایسه درصد افزایش عدد ناسلت، ضریب اصطکاک و افت فشار مشخص می‌شود که مقدار بهینه عدد مغناطیس برای Re_ff=۵۰ در محدوده Mn=۱,۳۳*۱۰^۶ و Mn=۲.۳۷*۱۰^۶ قرار دارد. درنتیجه با اعمال میدان مغناطیسی متقاطع غیریکنواخت ناشی از سیم حامل جریان الکتریسیته می‌توان جریان فروسیال را کنترل کرده و فرایند خنک کاری فروسیال در مبدل حرارتی دولوله‌ای را بهبود بخشید.

---

انتقال ژن با استفاده از نیروی  میدان مغناطیسی را به اصطلاح مگنتوفکشن می نامند. هدف از این مطالعه سنتز و مشخصه یابی نانو ذرات مغناطیسی اکسید آهن(Fe_۳O_۴)  به عنوان هسته عامل انتقال دهنده و بررسی اثر میدان مغناطیسی متناوب بر بازده انتقال می باشد. به همین منظور، ابتدا نانو ذرات مغناطیسی(MNP) به روش هم رسوبی سنتز شد. با استفاده از مغناطیس‌سنج نمونه لرزان (VSM)  خاصیت مغناطیسی ذارت سنتز شده بررسی شد، و با استفاده از  میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM)، پراکندگی دینامیکی نور (DLS)،  ویژگی های ظاهری، و پتانسیل زتای ذرات سنتز شده مورد ارزیابی قرار گرفت. سپس  با استفاده از نانو ذرات مغناطیسی(MNP)، پلیمر پلی اتیلن ایمین(PEI) وDNA  پلاسمیدی حاوی ژن گزارشگر لوسیفراز(pDNA)کمپلکس دوتایی PEI-pDNAو کمپلکس سه تایی MNP-PEI-pDNA  سنتز شدند کمپلکس های سنتز شده با استفاده DLS و تکنیک  تاخیر حرکت در ژل،مورد ارزیابی قرار گرفتند. نتایج DLS و تکنیک  تاخیر حرکت در ژل،نشان داد که کمپلکس ها بار سطحی مناسبی دارند و پلی اتیلن ایمین به خوبی به pDNA  متصل شده،  و  بار منفی آن را خنثی کرده است. سپس رده‌های سلولی سرطان سینه انسانی (MCF-۷) و سلول هایHek۲۹۳T با استفاده از کمپلکس سه تایی در حضور میدان مغناطیسی متناوب ۵۰ هرتز  ترنسفکت شدند. زنده مانی سلولی با استفاده از تست MTT  اندازه گیری شد.  نتایج به دست امده نشان داد که بازده انتقال در سلول هایی که با کمپلکس سه تایی در حضور میدان مغناطیسی متناوب  ترنسفکت شده بودند نسبت به گروه کنترل،  بدون هیچ گونه سمیت اضافی به طور معنی داری افزایش یافت(P ≤۰,۰۵ ).
 

---

در این مقاله، انتقال حرارت جابجایی طبیعی نانوسیال در حضور میدان مغناطیسی یکنواخت بین محفظه مربعی و سیلندر داخلی، با روش شبکه بولتزمن شبیه سازی شده است. سیلندر داخلی در سه شکل مربعی، لوزی و دایره ای مورد بررسی قرار گرفته است. دیواره های محفظه مربعی در دمای ثابت سرد و سیلندر داخلی در دمای ثابت گرم قرار دارند. در شبیه سازی انجام گرفته، میدان جریان، دما و مغناطیس با حل همزمان توابع توزیع جریان، دما و مغناطیس محاسبه شده است. آرایش شبکه D۲Q۹ برای هر سه تابع توزیع استفاده شده است. نتایج حاصله به خوبی حرکت جریان سیال و توزیع دمای در فضای بین محفظه و سیلندر را نشان می دهد. صحت شبیه سازی با استفاده از مقایسه نتایج با تحقیقات معتبر گذشته بررسی شده است، که تطابق خوب نتایج نشان دهنده دقت بالای کد کامپیوتری نوشته شده، می باشد. مطالعه جامع پارامتری بر حسب تأثیر اعداد رایلی، هارتمن، کسر حجمی و جنس نانوذرات مختلف بر روی انتقال حرارت جابجایی طبیعی بررسی شده است. نتایج بیانگر این است که، برای هر سه هندسه در کسر حجمی و جنس نانوذرات مشخص، با ثابت بودن عدد رایلی و افزابش عدد هارتمن انتقال حرارت کاهش می یابد. همچنین در این حالت در عدد هارتمن ثابت و با افزابش عدد رایلی، انتقال حرارت افزایش می یابند. برای انتخاب هندسه مناسب جهت انتقال حرارت بهینه باید به عدد رایلی و هارتمن توجه داشت. با تغییر کسر حجمی و جنس نانوذرات با تغییر خواص ترموفیزیکی نانوسیال می توان مستقیما بر روی انتقال حرارت تاثیرگذار بود.

---

در این مقاله انتقال حرارت جابجایی اجباری فروسیال در داخل یک لوله مسی شامل قسمتهایی با عایق الکترو مغناطیس تحت یک میدان مغناطیسی متناوب بصورت عددی بررسی شده است که هدف اصلی تحقیق، افزایش سرعت در لایه مرزی با استفاده از اثر میدان مغناطیسی بر روی نانوذرات برای افزایش انتقال حرارت بیشتر بوده است. با توجه به اینکه تاکنون اثر استفاده از عایق الکترومغناطیس در افزایش انتقال حرارت جابجایی بصورت تجربی بررسی نشده است، پس از مدلسازی عددی مسئله در حالت بدون عایق الکترو مغناطیس و اعتبار سنجی آن، اثرات میدان مغناطیسی بر مقدار ضریب انتقال حرارت جابجایی در درصدهای حجمی و اعداد رینولدز مختلف در لوله ای شامل قسمتهایی با عایق الکترومغناطیس مورد بررسی قرار گرفته و با حالت بدون عایق مقایسه شده اند. افزایش فرکانس زمانی میدان مغناطیسی متناوب و کسر حجمی نانوذرات، منجر به افزایش بهتر انتقال حرارت در محدوده مورد نظر گردیده اند که نتایج تاثیر این پارامترها و تغییرات ناشی از آنها نسبت به حالت بدون میدان مغناطیسی بیشتر می باشند. همچنین نتیجه بررسی در اعداد رینولدز مختلف نشان داده است که اثر میدان مغناطیسی در اعداد رینولدز کم و فرکانسهای بزرگتر، بیشتر بوده است.